Samsung anuncia produção de chips de memória mais rápidos em 2008

Em 2008, a Samsung Electronics planeja começar a produção em massa de um novo tipo de memória gráfica que consome menos energia e é significativamente mais rápida que os chips existentes. A empresa anunciou, em outubro, a fabricação de chips de memória flash NAND de 30 nanômetros.

Chamada de GDDR (Graphics Double Data Rate) 5, a tecnologia permite que os novos chips de memória transfiram dados com velocidade de até 6 Gbps (Gigabits por segundo). Os chips GDDR 4 oferecem taxa de transferência de 3,2 Gbps – e são atualmente os mais rápidos disponíveis.

Em relação aos chips de memória mais utilizados, a diferença é ainda maior, pois estes – os GDDR 3 -, usam taxas de 1,6 Gbps.

Com transferência mais veloz, o GDDR 5 pode transferir até 24 GB por segundo, de acordo com a Samsung. O GDDR 3 e o GDDR 4 conseguem transferir, respectivamente, 6,4 GB e 9,6 GB. Com o aumento de velocidade, imagens gráficas de games e outras aplicações tornam-se mais realistas e detalhadas.

A empresa revelou ainda que os novos chips, ainda sem preço informado pela fabricante, irão consumir 1,5 volt, tornando-os 20% mais eficientes energeticamente que os chips GDDR 3.

Amostras dos chips GDDR 5 começaram a ser entregues em fabricantes de processadores gráficos no mês passado, e a Samsung planeja começar sua produção em massa no primeiro semestre de 2008.

A memória GDDR 5 deve ser usada, inicialmente, em sistemas de games de última geração, pois os usuários deste tipo de aplicação aceitam pagar mais por gráficos melhores.